1.表面型半導(dǎo)體陶瓷電容器的等效電路 

a為正常狀態(tài)下的等效電路，其中上、下兩個電容器代表上、下兩個介質(zhì)層的電容；兩個箭頭表示和N型半導(dǎo)瓷的接觸狀態(tài)；中間部分則表示半導(dǎo)體瓷中尚有一定的電阻。 b和c則分別表示兩邊或一邊介質(zhì)層被損壞后的不正常情況。介質(zhì)層被損壞的程度不同則二極管的正、反電阻也不同，因此它并不意味著是一個常規(guī)的二極管。

2.表面型半導(dǎo)體陶瓷芯片半導(dǎo)化機理

主晶相為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（BaTiO3)，在H2、N2氣氛下還原處理，其反應(yīng)過程如下：  2BaTiO3+ H2---- 2BaTiO2.5+H2O+Vo（氧缺位），Ti4+----Ti3+ + e(電子電荷）。由于缺位的出現(xiàn)，恰是一個2價正離子，氧缺位在整個瓷體中均勻分布。e為電子電荷，在未激發(fā)之前它是停留在氧缺位附近Ti3+上的介穩(wěn)電子，但受到電場激發(fā)之后將形成“自由”電子而參與導(dǎo)電。這時整個瓷片具有電子導(dǎo)電特性，屬于n型半導(dǎo)體。

3.半導(dǎo)體陶瓷電容在低電壓環(huán)境中出現(xiàn)燒熔失效問題探討

     ①表面介質(zhì)層：半導(dǎo)體瓷介電容芯片起絕緣作用的介質(zhì)層很薄（約20微米），芯片生產(chǎn)、運輸及后工序裝配過程中容易損壞介質(zhì)層，造成絕緣電阻降低。 
     ②在低的直流電場長時間作用下，半導(dǎo)層中氧缺位向負極板旁移動積累大量正電荷，并將和負極板間形成較高的電場強度，而電子向正極移動在正極累積大量負電荷，和正極形成較高的電場強度。當電場強度達到一定值時，它迫使介質(zhì)層會向極板發(fā)射電子，而構(gòu)成傳導(dǎo)電流。
      如果介質(zhì)層絕緣電阻低，介質(zhì)層承受不了高的場強，電容性能進一步劣化，絕緣更低直至短路，在這個過程中產(chǎn)生大量熱能而使產(chǎn)品本體出現(xiàn)燒熔的現(xiàn)象。